Кaк наша сестра знaeм, энeргoнeзaвисимую пaмять STT-MRAM (spin-transfer torque MRAM) в нaстoящee врeмя выпускaeт кoмпaния GlobalFoundries пo прoeкту кoмпaнии Everspin Technologies. Плoтнoсть 40-нм микрoсxeм STT-MRAM сoстaвляeт всeгo 256 Мбит (32 Мбaйт), чтo выгoднo кoмпeнсируeтся высoкoй скoрoстью рaбoты и бoльшeй устoйчивoстью к рaзрушeнию вo врeмя операций остатки, чем в случае памяти NAND. Сии высокие качества STT-MRAM позволяют добиваться магниторезистивной памяти с записью данных с через переноса спинового момента (spin-transfer torque) нате место в процессоре. Как узел речь идёт о замене массивов SRAM получай массивы STT-MRAM в качестве кеш-памяти третьего уровня (L3). А словно же с кеш-памятью L1 и L2?
Соответственно мнению специалистов бельгийского исследовательского центра Imec, интересах использования магниторезистивной памяти MRAM в качестве энергонезависимого иннокентий первого и второго уровней мнемозина STT-MRAM подходит не адски хорошо. На эту круг обязанностей претендует более совершенный видоизменение магниторезистивной памяти, а именно — SOT-MRAM (spin-orbit torque MRAM). Уравнение в ячейку SOT-MRAM также происходит момент-поляризованным током, но не более чем в виде передачи вращательного момента, используя исполнение) этого спин-орбитальный этап электронов.
Принципиальная разница заключается в схеме управления туннельным переходом в составе ячейки памяти и в методе склерозник. Так, ячейка STT-MRAM представляет лицом бутерброд из двух тонкоплёночных структур (разделённых диэлектриком), одна с которых имеет постоянную магниченность, а вторая «свободную» — зависящую ото поляризации приложенного тока. Протокол и чтение данных из такого склада ячейки происходят одинаково возле пропускании токов перпендикулярно после туннельный переход. Тем самым изнашивание ячейки происходит как вот время записи, так и изумительный время чтения, хотя присутствие чтении токи значительно поменьше, чем при записи.
Очко с туннельным переходом SOT-MRAM, и содержащая свободный слой и экзина с постоянной намагниченностью, записывается током, какой-либо движется вдоль туннельного перехода, а безлюдный (=малолюдный) через все слои. Вариация «геометрии» подачи тока, заявляют в Imec, объемисто повышает как устойчивость ячейки к износу, (на)столь(ко) и скорость переключения слоя. Присутствие сравнении работы ячеек STT-MRAM и SOT-MRAM, выпущенных держи одной и той же пластине типоразмера 300 мм, исполнение) SOT-MRAM устойчивость к износу превысила 5·1010, а стремительность переключения ячейки (запись) снизилась с 5 нс впредь до 210 пс (пикосекунд). Израсходование при этом было получи низком уровне, равном 300 пДж (пикоджоулей).
Инди шарм всей этой истории заключается в книжка, что в Imec показали шанец выпускать память SOT-MRAM бери штатном оборудовании на 300-мм кремниевых подложках. Как-нибудь еще говоря, на практическом уровне доказали ресурс запуска массового производства памяти подобно SOT-MRAM.
Источник:
