Нa прoтяжeнии гoдa кoмпaния oбeщaeт дoвeсти ёмкoсть oднoй микрoсxeмы eMRAM дo 1 гигaбaйтa.
Вслeд зa кoмпaниeй Intel о начале массового внедрения магниторезистивной памяти MRAM объявил паки (и паки) один гигант индустрии — Samsung Electronics. Глас идет о микросхемах eMRAM в (видах различных встраиваемых систем, микроконтроллеров, устройств «интернета вещей» и систем искусственного интеллекта, передает сеть-издание Хроника.инфо со ссылкой возьми overclockers.ua.
Для производства чипов eMRAM используется 28-нм техпроцесс вдоль технологии FD-SOI (Fully-Depleted Silicon-on-Insulator — До конца обедненный кремний-на-изоляторе), опять же известный как 28FDS. Память eMRAM должна подоспеть на смену встраиваемой флэш-памяти eFlash и доставить с собой ряд преимуществ.
Примем, eMRAM не требует цикла стирания на пороге записью данных, поэтому поспешность записи примерно в тысячу единовременно выше, чем у eFlash. Минуя того, eMRAM использует побольше низкие напряжения, чем eFlash, а как и не требует периодической регенерации записанных данных. Магниторезистивная воспоминания MRAM обеспечивает высокую масштабируемость и может бытовать легко интегрирована с существующими технологиями.
Читайте вот и все: В мессенджер Viber добавили глухой режим
Церемония, посвященная началу поставок чипов eMRAM, состоялась в данное время в одном из производственно-исследовательских комплексов Samsung в Южной Корее. Держи протяжении года компания обещает свести ёмкость одной микросхемы eMRAM задолго. Ant. с 1 гигабайта.
