Пoкa кoнкурeнты гoтoвятся затеять к прoизвoдству 96-слoйнoй пaмяти 3D NAND тож тoлькo-тoлькo зaвeршaют рaзрaбoтку пoдoбнoй пaмяти, кoмпaния Samsung нaчинaeт мaссoвый выпускание сaмыx тexнoлoгичeски рaзвитыx мнoгoслoйныx чипoв флeш-пaмяти. Кoмпaния выпустилa прeсс-рeлиз, в кoтoрoм сooбщилa o зaпускe в мaссoвoe прoизвoдствo 256-Гбит чипoв 3D NAND TLC (в тeрминoлoгии Samsung — V-NAND) пятoгo поколения.
Эйдетизм пятого поколения включает в качестве кого беспрецедентное пока количество слоёв — сверх 90, так и новый интерфейс Toggle DDR 4.0 микросхем памяти. Тем самым натиск обмена между памятью NAND и контроллером выросла сверху 40 % до 1,4 Гбит/с. Отметим, интерфейс Toggle DDR 3.0 позволял основать скорость обмена с чипами впредь до 800 Мбит/с. Разница посреди Toggle DDR 4.0 и Toggle DDR 3.0 лишше 40 %, но в Samsung неважный (=маловажный) раскрывают организацию микросхем памяти нового поколения, почему оставим этот момент бери совести составителя пресс-релиза. Имеет п то, что в сравнении с 64-слойными предшественниками сбережение интерфейса и чипа не увеличилось, потому одновременно снижено рабочее пропитание микросхем с 1,8 В до 1,2 В.
В данном анонсе Samsung долженствует обратить внимание на оный факт, что компания безвыгодный обозначает новинки как 96-слойные решения, а всего-навсего как 90+. Между тем с головы такой чип состоит изо двух установленных друг сверху друга 48-слойных кристаллов 3D NAND. Слабо делись недостающие слои? Шевелись всего, в месте стыка двух кристаллов происходит перегорание слоёв или компания отключает сии слои в связи с высоким уровнем отказа ячеек в них.
96-слойная 3D NAND может находиться (в присуствии) составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)
Прочий интересный момент в анонсе — сие достаточно маленькая ёмкость 90-слойных чипов — лишь 256 Гбит. Во-первых, сие уменьшает площадь кристалла и позволяет с каждой кремниевой пластины обретший больше микросхем. Во-вторых, ячейки памяти получаются немало большими по площади и, следует, становятся более устойчивыми к износу. В конечном счете, большая площадь ячеек позволяет отшлифовать параметры записи и чтения в ячейках. Яко, продолжительность операций записи в ячейку в 96-слойной памяти сократилась получай 30 % до 500 мкс, а темп чтения «значительно» улучшила приманка параметры и ускорилась до 50 мкс.
Сверх прочего Samsung улучшила технологию производства 3D NAND. Изумительный-первых, за счёт улучшений в действие депонирования (внесение примесей) близ производстве слоёв производительность процесса ускорилась возьми 30 %. Не то говоря, выход продукции вслед единицу времени увеличился ли) не на треть. Во-вторых, компашечка смогла на 20 % убавить толщину слоёв без возникновения перекрёстных помех. Сие означает, что сокращены токовые маршруты, длины которых влияют подобно ((тому) как) на потребление, так и в внутренние процессы по обслуживанию ячеек (сообразно обработке данных внутри памяти).
Невзирая на все достижения, равным которым в индустрии на гумне — ни снопа, компания Samsung не собирается бездействовать на лаврах. Вскоре Samsung в пятом поколении 3D NAND обещает нарисовать как 1-Тбит микросхемы памяти, что-то около и память с ячейкой QLC, которая хорэ хранить четыре бита данных.
Шпрундель:
