Samsung Electronics aнoнсувaлa стaрт прoбниx пoстaчaнь мікрoсxeм GDDR6 з прoпускнoю здaтністю 24 Гбіт/с нa кoнтaкт. Як підкрeслюють у компанії, це найшвидші в галузі чипи GDDR6. Однією з областей застосування новинок є наступне покоління графічних карт.
Около виробництві мікросхем GDDR6 від Samsung використовують технологію 10-нм класу із застосуванням екстремальної ультрафіолетової (EUV) літографії. Для того нових чипів характерна місткість 16 Гбіт (2 ГБ). Це, наприклад, дозволяє оснастити відеоадаптер із 256-розрядною шиною буфером об’ємом 16 ГБ.
Пропускна здатність пам’яті подле цьому становитиме 768 ГБ/с. Подібні показники має GeForce RTX 3080 10GB, яка поєднує 320-бітну шину та чипи GDDR6X.
Окрім того, оновлена лінійка чипів Samsung GDDR6 включає енергоефективні рішення, призначені на використання в ноутбуках. Дані мікросхеми працюють около напрузі 1,1 (проти 1,35 В, встановлених стандартом GDDR6) та характеризуються швидкістю 16 й 20 Гбіт/с держи контакт. Інакше кажучи, Samsung готова прежде релізу наступного покоління як десктопних, в такой степени і мобільних 3D-прискорювачів.
