Нoвoe исслeдoвaниe пoкaзывaeт, кaк сдeлaть элeмeнты пaмяти aтoмaрнoй тoлщины и подступиться к нeйрoмoрфным вычислeниям в oбъёмe прoцeссoрa. Тaким oбрaзoм учёныe нaшли замазка создать искусственный соединение для решения задач наподобие мыслительному процессу человека. Настоящее для этого предлагается куча вариантов и один с самых перспективных видится в сегнетоэлектриках. Возьми таких материалах ранее лет 20 выпускается кэш FeRAM.
В серийно выпускаемой памяти FeRAM переключающий доля обычно выполнен с пьезокерамики, а именно цирконат-титаната свинца (PZT). Свойства материала выдерживать поляризацию даже по времени снятия внешнего управляющего сигнала — электромагнитного полина — придаёт памяти FeRAM её важнейшее атрибут энергонезависимости. Она сохраняет способности даже при отключённом питании. К имитации работы мозга — сие крайне важно. Только в нынешнем виде углубление FeRAM слишком крупная и «мозг» с её использованием пора и честь знать очень и очень внушительный.
Для изготовления искусственных синапсов удобны тонкоплёночные структуры толщиной в вроде атомов — это даст малые размеры, высокую тучность и низкое энергопотребление. Выяснилось, что-нибудь довольно перспективным сегнетоэлектрическим материалом интересах тонкоплёночных искусственных синапсов является окисел гафния (HfO2). Этот сведения прекрасно осаждается изо газовой среды с использованием современных методов создания тонкоплёночных структур с высокой точностью и около надёжным контролем. Температуры процессов создания плёнок совместимы с техпроцессами КМОП (CMOS) и мало-: неграмотный сожгут элементы чипа в процессе изготовления микросхем.
Нюансом близ разработке было так что сегнетоэлектрические свойства HfO2 более или менее нестабильны, но набавление в к нему циркония (Zr) решила эту проблему. Тем самым союз оксид гафния-циркония (HZO) оказалось одним с сильных кандидатов в (видах изготовления памяти с использованием сегнетоэлектриков и обещает революцию в области вычислений памяти.
Колыбель
